1、系統概述

IGBT、MOS等是廣泛應用于現代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件。其中，城市軌道交通車輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設備中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各種靜態參數的測試為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據，因此在實踐中能準確測量各種靜態參數具有極其重要的實際意義。

EN-3020B 分立器件測試儀，是針對IGBT、MOS等器件的各種靜態參數而專門設計的一套全自動測試系統。系統標準功率源為2000V/100A。

該測試系統具有如下特點：

該測試系統是一套綜合參數測試系統，對設備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較大；

該測試系統完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試；

該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為 EXCEL 文件進行處理。

該測試系統主要由以下部分組成：

Ø 柵極-發射極漏電流測試單元

Ø 柵極-發射極閾值電壓測試單元

Ø 集電極-發射極電壓測試單元

Ø 集電極-發射極飽和電壓測試單元

Ø 二極管壓降測試單元

Ø 二極管反向擊穿電壓測試單元

2、技術條件

2.1、環境要求

Ø 環境溫度濕度：室溫～40℃，小于70%；

Ø 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa

Ø 電網電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

Ø 電網頻率：50Hz±1Hz

2.2、主要技術指標

2.2.1、柵極-發射極電壓V_GES及漏電流I_GES

電壓V_GES：0-40V  誤差±2%  分辨率0.1V

電流I_GES：0.1-10µA  誤差±2%  分辨率0.01µA

集電極電壓：V_CE=0V

2.2.2、集電極-發射極電壓V_CES及電流I_CES

集電極電壓V_CES：100-2000V  誤差±2%  分辨率1V

集電極電流I_CES：100µA-5mA  誤差±2%  分辨率10µA

柵極電壓V_GE=0V

2.2.3、柵極-發射極閥值電壓VGE(th)

V_GE(th)：1-10V  誤差±2%  分辨率0.1V

顯示柵極-發射極閾值電壓V_GE(th)

2.2.4、集電極發射極飽和電壓VCE(sat)

V_CE（sat）：0.2-5V  誤差±2%  分辨率10mV

集電極電流I_CE：10-100A  誤差±2%  分辨率1A

2.2.5、二極管壓降測試VF

V_F：0-5V  誤差±3%  分辨率10mV

柵極電壓V_GE：0V

電流I_F：10-100A  誤差±2%  分辨率1A

2.2.6、二極管反向擊穿電壓BVR

電壓設定：100V-2000V  誤差±2%  分辨率1V

擊穿電流設定：0.1-10mA  誤差±2%  分辨率10uA